Laser-Plasmaabscheidung
(Pulsed
Laser Deposition PLD) von dünnen
Filmen
mittels Excimerlaser LPX 305i |
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PLD-G-Kammer
bis 4-Zoll-Substratdurchmesser, Multitargeteinrichtung |
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PLD-M-Kammer
mit 15x15 mm²-Heizer, Multitargeteinrichtung, mit
RF-Radikalenquelle |
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PLD-S-Kammer
mit 4-Zoll-Heizer, Multitargeteinrichtung |
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PLD-E-Kammer
mit Multitargeteinrichtung, 3-Zoll-Heizer, in-situ spektroskopische
Ellipsometrie.
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PLD-Q-Kammer
für
Gasdrücke im mbar-Bereich, für Nano-Heterostrukturen |
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DC-Sputterkammer für Au, Pt, Ti, Cr, Ag,...
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Oberflächendiagnostik
mit
Elektronenbeugung RHEED
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Sekundär-Neutralteilchen-Massenspektrometrie
SNMS Leybold INA3 zur Element- und
Tiefenprofilanalytik.
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Oberflächen-Profilometer DEKTAK 3030 |
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Scan
der kritischen
Stromdichte von doppelseitigen
Hochtemperatur-Supraleiter-Filmen bis 71 x 75 mm²
Fläche |
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RCL-Messbrücke mit Proben-Temperaturregelung von -35 bis
+85°C |
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Raster-Tunnel-Mikroskop
„Beetle"-STM
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Sintern bis
1200°C (Kammerofen) und 1800°C (Rohrofen),
Kugelmühlen,
Preßwerkzeuge zur PLD-Targetherstellung,
im Rohrofen auch thermisches Wachstum von ZnO-Nanostrukturen
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Vektorieller
Mikrowellen-Netzwerkanalysator Anritsu-Wiltron 37347A bis 20 GHz.
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Zeiss-Labormikroskop Axiolab mit CCD-Kamera
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