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Research Report HLP 2021
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The material available from this page (images and captions) can be
used freely for press publications if properly acknowledged as work of
the University of Leipzig, Germany. Detailed author information is
included. The acceptable minimum requirement for quotation is
"University of Leipzig" or "Universität Leipzig".
Das Material (Bilder und Bildunterschriften), das von dieser Seite
heruntergeladen werden kann, kann frei in Pressepublikationen verwendet
werden, wenn die Urheberschaft der Universität Leipzig genannt
wird. Das akzeptable minimale Zitat ist "University of Leipzig" oder
"Universität Leipzig".
M. Grundmann
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Transparent ZnO Transistors (MESFETs)
Durchsichtige ZnO Transistoren (MESFETs)
Image/Bildmaterial
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Caption/Bildunterschrift/Credit
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Transparent ZnO transistor. Contacts are covered with thin gold layers and become visible at all. The vertical stripe is the gate contact and has a width of 30 micrometer. The channel length is 60 micrometer. Crosses and diamonds are alignment markers.
Transparenter ZnO Transistor. Die Kontakte sind dünn mit Gold bedampft und sind deshalb überhaupt sichtbar. Der vertikale Streifen ist der Gatekontakt (Steuerelektrode) mit einer Breite von 30 Mikrometer. Die Kanallänge beträgt 60 Mikrometer. Kreuze und Rauten sind Markierungen zur Justage der Photolithographiemasken.
H. Frenzel, M. Grundmann/Universität Leipzig
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H. Frenzel, M. Grundmann/Universität Leipzig
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Current between source and drain (ISD, purple) and source and gate (ISG, blue) as a function of gate voltage.
Kanalstrom zwischen Source und Drain (ISD, violett) und Strom zwischen Source und Gate (ISG, blau) als Funktion der Gatespannung.
H. Frenzel, M. Grundmann/Universität Leipzig
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Additional infos:
Pressemitteilung der Universität Leipzig.
Applied Physics Letters 92, 192108 (2008).
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