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Universität Leipzig

Faculty of Physics and Earth Sciences

Felix Bloch Institute for Solid State Physics

Semiconductor Physics Group

Press downloads


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M. Grundmann



Reverse Bias Luminescence of Silicon Solar Cells
Lichtemission von Silizium-Solarzellen unter Rückwärtsspannung

Image/Bildmaterial
Caption/Bildunterschrift/Credit
Surface morphology with superimposed reverse bias (-17V) electroluminescence from defects along grain boundaries of a multi-crystalline silicon solar cell.
Oberflächenmorphologie einer Solarzelle mit überlagerter Lumineszenzintensität unter Rückwärtsspannung (-17V) von Defekten, die sich entlang zweier Korngrenzen anordnen.
M. Grundmann, D. Lausch/Universität Leipzig
Surface morphology with superimposed reverse bias electroluminescence (false colors) from defects along grain boundaries of a multi-crystalline silicon solar cell. Left: acidic, right: alkaline surface treatment. Width of each image: 90 micrometer.
Oberflächenmorphologie einer Solarzelle mit überlagerter Lumineszenzintensität unter Rückwärtsspannung (Falschfarbenbild) von Defekten, die sich entlang zweier Korngrenzen anordnen. Links: saure, rechts: basische Texturierung. Bildbreite jeweils 90 Mikrometer.
M. Grundmann, D. Lausch/Universität Leipzig
Surface morphology with superimposed reverse bias electroluminescence from defects along grain boundaries of a multi-crystalline silicon solar cell. Left: acidic, right: alkaline surface treatment.
Oberflächenmorphologie einer Solarzelle mit überlagerter Lumineszenzintensität unter Rückwärtsspannung von Defekten, die sich entlang zweier Korngrenzen anordnen. Links: saure, rechts: basische Texturierung.
M. Grundmann, D. Lausch/Universität Leipzig

Additional infos:
Pressemitteilung der Universität Leipzig
Phys. Status Solidi RRL 3, 70-72 (2009)
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